Цоколевки Отечественных Транзисторов

В современном понимании транзистор — полупроводниковый прибор с двумя и более p-n переходами и тремя и более проводниками, предназначенный для усиления, генерации и преобразования электрических колебаний.

Транзисторы: основные параметры и характеристики, маркировка транзисторов

Наиболее часто в радиолюбительских конструкциях используются биполярные и полевые транзисторы. В полевых транзисторах выходной ток управляется электрическим полем, отсюда и название «поле.

Полевые транзисторы имеют три электрода: исток, затвор и сток. Электроды полевого транзистора в некоторой степени соответствуют электродам биполярного транзистора: эмиттер, база и коллектор.

Преимущество полевого транзистора в том, что ток входного электрода (затвора) очень мал. Это определяет высокое входное сопротивление каскадов в этих транзисторах и тем самым исключает влияние более поздних каскадов схемы на более ранние.

Еще одним преимуществом полевых транзисторов является их низкий уровень собственного шума, что позволяет использовать полевые транзисторы на ранних стадиях высококачественных усилителей звуковой частоты.

Основная классификация транзисторов, параметры

Основная классификация транзисторов основана на материале истока, из которого они изготовлены, максимально допустимой мощности, рассеиваемой в коллекторе, и частотных свойствах.

Эти параметры определяют его основные области применения. По мощности транзисторы делятся на:

• маломощные транзисторы,

• транзисторы средней мощности,

• транзисторы большой мощности.

По частоте транзисторы делятся на:

• Низкая частота,

• средняя частота,

• высокая частота,

• микроволновая печь.

По исходному полупроводниковому материалу транзисторы делятся на:

• германий,

• кремний.

Основными параметрами биполярных транзисторов являются:

• статический коэффициент усиления по току a в цепи с общей базой;

• статический коэффициент усиления по току |3 в цепи с общим эмиттером. Параметры воздуха связаны зависимостями вида b = a/(1 — a) или a = b/(1 + c);

• коллектор обратного тока Iko;

• предельные частоты fgr и fh21 коэффициента передачи тока.

Основными параметрами полевых транзисторов являются:

• напряжение отсечки U0 — напряжение на затворе, при котором блокируется участок канала;

• максимальный ток стока Іс max;

• напряжения: между затвором и стоком Ucs, между стоком и истоком Uc и между затвором и истоком Uc;

• Входная мощность Зв, пропускная способность Sd и выходная мощность Зв.

Обозначение транзистора

Существуют (биполярные) транзисторы, которые имеют старое обозначение, введенное до 1964 года. В старой системе обозначение транзистора включает букву P и цифровой номер.

По номеру транзистора можно определить, на какие каскады электронной схемы он рассчитан. Если перед буквой Р стоит буква М, это означает, что корпус транзистора имеет холодносварную конструкцию. Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:

Низкочастотный (до 5 МГц):

• 1…100 — маломощный германиевый, до 0,25 Вт;

• 101…201 — кремниевые до 0,25 Вт;

• 201…300 — германиевые повышенной мощности, более 0,25 Вт;

• 301…400 — кремний более 0,25 Вт.

Высокая частота (более 5 МГц):

• 401…500 — германиевые до 0,25 Вт;

• 501…600 — кремниевые до 0,25 Вт;

• 601…700 — германий более 0,25 Вт;

• 701…800 — кремний более 0,25 Вт.

Например:

• Р416 Б — германиевый транзистор, высокочастотный, малой мощности, тип В;

• MP39B представляет собой низкочастотный маломощный германиевый транзистор типа B в холоднопаяном корпусе.

В новой нотации используется буквенно-цифровой шифр, состоящий из 5 элементов:

первый элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор, и его содержание не отличается от системы обозначения диода, то есть Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия, I или 4 — индий.

2-1 элемент — буква Т (двухполярная) или П (полевая).

3-1 элемент — число, обозначающее функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.

Транзисторы малой мощности, Pmax < 0,3 Вт:

• 1 — малой мощности и низкой частоты, Gf < 3 МГц;

• 2 — малой мощности средней частоты, 3 < frp < 30 МГц;

• 3 — маломощная высокочастотная, 30 < fгр < 300 МГц.

Транзисторы средней мощности, 0,3 < Pmax < 1,5 Вт:

• 4 — средней мощности низкой частоты;

• 5 — средней мощности средней частоты;

• 6 — средней мощности высокой частоты.

Транзисторы большой мощности, Pmax > 1,5 Вт:

• 7 — высокая мощность низкой частоты;

• 8 — высокая мощность средней частоты;

• 9 — мощность ВЧ и СВЧ (frp > 300 Гц).

4-й элемент — цифры от 01 до 99, обозначающие порядковый номер разработки.

пятый элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая разделение технологического типа устройств на группы.

Например: КТ540Б: кремниевый транзистор средней частоты, средней мощности, номер разработки 40, группа Б.

При изготовлении транзисторов используются различные технологические приемы, в результате чего получаются устройства со специфическими характеристиками, эксплуатационными свойствами и параметрами. Цоколёвка широко используемых радиолюбителями транзисторов.

Источник: radiоstorаgе.nеt